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Jul 09, 2023

Transphorm (TGAN): convertir la tecnología en ingresos, una compra especulativa

YouraPechkin/iStock a través de Getty Images Transphorm, Inc. (NASDAQ:TGAN) se fundó en 2007 y ha sido una empresa pública desde febrero de 2020, cotizando en NASDAQ desde febrero de 2022. TGAN se encuentra entre las principales

YouraPechkin/iStock vía Getty Images

Transphorm, Inc. (NASDAQ:TGAN) se fundó en 2007 y es una empresa pública desde febrero de 2020, cotizando en NASDAQ desde febrero de 2022.

TGAN se encuentra entre los principales desarrolladores de tecnología y componentes de nitruro de galio (GaN) para electrónica de potencia, con énfasis en aplicaciones de mayor potencia. Creen que están bien posicionados para capitalizar el cambio secular del silicio a la tecnología GaN y tienen una cartera de patentes notablemente sólida.

Han atraído y retenido con éxito a importantes inversores y socios, y han enviado productos reales en volumen.

TGAN también posee y opera, a través de una empresa conjunta, una instalación de fabricación de obleas de semiconductores de GaN, para satisfacer sus propias necesidades y suministrar obleas comercialmente a otros.

Los ingresos para el año fiscal 2022 fueron de 24 millones de dólares, un aumento del 89 % con respecto al año anterior. TGAN tiene como objetivo un crecimiento de ingresos CAGR del 50% durante los próximos cinco años, en un mercado direccionable estimado de $6 mil millones de dólares.

TGAN se enfrenta a una competencia significativa y aún no ha logrado un flujo de caja positivo, pero para los inversores con un horizonte temporal de más de cinco años, tiene el potencial de proporcionar rendimientos muy superiores al mercado.

Escribí un artículo hace unas semanas sobre Navitas (NASDAQ:NVTS), otra empresa activa en el espacio de la electrónica de potencia GaN y competidor directo de TGAN. Según la discusión en los comentarios allí, decidí investigar también TGAN.

En comparación con los dispositivos basados ​​en silicio, los dispositivos de GaN ofrecen ventajas que incluyen mayores velocidades de conmutación, mayores voltajes de ruptura y menor resistencia. Esto permite un sistema de energía más eficiente (hasta un 40% menos de energía desperdiciada) y más pequeño, más liviano, más fresco y, finalmente, de menor costo. La adopción de GaN parece estar en un punto de inflexión y se espera que experimente un rápido crecimiento.

En este artículo, analizaremos la historia de Transphorm hasta el momento: tecnología, fabricación, mercados objetivo, situación financiera, competidores, valoración, riesgos y algunas implicaciones para los inversores. Su presentación para inversores más reciente de mayo de 2022 está aquí.

TGAN es una empresa de semiconductores fundada en 2007 por sus fundadores, el profesor Umesh Mishra (ahora de 64 años) y el Dr. Primit Parikh (51).

Anteriormente cofundaron Nitres, Inc. en 1996, que desarrolló LED y transistores de GaN, y fue adquirida por Cree [ahora Wolfspeed (NYSE:WOLF)] en 2000; Este no es su primer rodeo.

Transphorm se fusionó con Peninsula Acquisition Corporation el 12 de febrero de 2020, siendo Transphorm el nombre sobreviviente. Parece que la fusión fue un mecanismo para "convertirse en una empresa pública" más que un vehículo de financiación; El 10-K de Peninsula del 30 de junio de 2019 indicaba 2.475 dólares en activos.

Si realmente desea profundizar en la maleza, aquí hay un par de cientos de páginas de contratos relacionados con muchos detalles.

Inicialmente cotizando en el mercado extrabursátil, TGAN comenzó a cotizar en el NASDAQ el 22 de febrero de 2022, cerrando a 6,92 dólares.

Su presentación de diapositivas de enero de 2021 proporciona una instantánea de sus planes y proyecciones en ese momento, consulte aquí.

Al 31 de marzo de 2022, TGAN tenía un total de 108 empleados, de los cuales 88 tienen su sede en Estados Unidos. Tenga en cuenta que en abril de 2021, TGAN cambió el final de su año fiscal al 31 de marzo, lo que verá reflejado repetidamente a continuación.

En 2014, TGAN estableció Transphorm Japan, una subsidiaria de propiedad absoluta, y firmó un acuerdo de asociación con Fujitsu Limited y Fujitsu Semiconductor Limited “FSL”.

En relación con este acuerdo, TGAN celebró una asociación de fabricación para AFSW, la planta de fabricación de obleas de silicio de 6 pulgadas de FSL en Aizu Wakamatsu, Japón. TGAN también adquirió una cartera de patentes de FSL y una licencia para una cartera separada de Fujitsu.

Planta de semiconductores AFSW GaN (Semiconductor hoy)

En 2017, este acuerdo se convirtió en una empresa conjunta con FSL para AFSW, en la que TGAN tenía una participación del 49%.

En diciembre de 2020, TGAN celebró un acuerdo de empresa conjunta (ver contrato aquí) con JCP Capital Management, LLC Limited (parte controladora con el 75% de propiedad al 31 de marzo de 2022) para crear GaNovation Pte. Ltd. Ltd., una empresa conjunta en Singapur, para participar en el negocio de distribución, desarrollo y suministro de productos de GaN y cualquier negocio relacionado con los negocios de AFSW.

En ese momento, GaNovation se convirtió en el distribuidor exclusivo de TGAN en la Gran China, con derechos para adquirir obleas de GaN procesadas y otros componentes de TGAN, cambiar la marca y revender productos empaquetados comprados a TGAN, y personalizar y desarrollar productos mutuamente acordados.

En agosto de 2021, GaNovation adquirió AFSW de la empresa conjunta TGAN-FSL, poniendo fin a la propiedad de FSL y reduciendo la participación de TGAN al 25%. Consulte este artículo de Semiconductor Today para obtener más detalles sobre este acuerdo.

Al 31 de marzo de 2022, AFSW es ​​el negocio principal de GaNovation y TGAN tiene una participación del 25 % en GaNovation.

En 2015, KKR Phorm Investors LP, una filial de Kohlberg Kravis Roberts & Co. LP, realizó una inversión de 70 millones de dólares para respaldar la comercialización de productos de energía de GaN existentes. Al 31 de marzo de 2022, Phorm es el mayor accionista de TGAN.

En 2017, TGAN se asoció con YASKAWA Electric Corporation de Japón (OTCPK:YASKY), líder mundial en productos de control de movimiento y robots industriales.

En octubre de 2017, Yaskawa prestó a TGAN 15,0 millones de dólares y, en octubre de 2021, convirtió la deuda en capital, recibiendo 3.120.000 acciones ordinarias.

En diciembre de 2020, Yaskawa acordó proporcionar 4,0 millones de dólares durante tres años para financiar desarrollos que respalden aplicaciones de conversión de energía industrial, con un enfoque inicial en dispositivos GaN personalizados para servomotores. Al 31 de marzo de 2022, Yaskawa ha aportado 1,8 millones de dólares de este compromiso.

Nexperia es un fabricante de componentes semiconductores con sede en los Países Bajos y líder en semiconductores para productos automotrices. Anteriormente parte de NXP Semiconductor, es una filial de la empresa china Wingtech Technology, de la que aproximadamente un 30% es propiedad estatal.

En 2018, TGAN estableció un acuerdo de cooperación de múltiples elementos de cinco años con Nexperia con el objetivo de establecer una segunda fuente (la fábrica de Nexperia en Hamburgo) para productos de GaN y un mejor posicionamiento para penetrar el mercado automotriz con productos de GaN a largo plazo.

Esto incluía una combinación de propiedad accionaria, un acuerdo de préstamo, proyectos de desarrollo tecnológico y concesión de licencias para el proceso de fabricación de obleas de TGAN y determinados productos; TGAN obtuvo ~ 25 millones de dólares en financiación de Nexperia.

En mayo de 2021, se modificó el acuerdo con miras a una relación de suministro a más largo plazo con Nexperia.

En 2020, TGAN estableció una relación con Marelli, un gran proveedor de automóviles derivado de Fiat, para el desarrollo a largo plazo de productos inversores y de gestión de energía para automóviles. A partir de diciembre de 2021, Marelli, propiedad de KKR desde 2018, estaría en proceso de reestructuración. Al 31 de marzo de 2022, Marelli ha realizado $5 millones en inversiones de capital en TGAN.

TGAN se ve a sí mismo como un líder tecnológico y de mercado en el área de la electrónica de potencia GaN para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje.

En comparación con los dispositivos basados ​​en silicio, los dispositivos de GaN ofrecen ventajas que incluyen mayores velocidades de conmutación, mayores voltajes de ruptura y menor resistencia. Esto permite un sistema de energía más eficiente (hasta un 40% menos de energía desperdiciada) y más pequeño, más liviano, más fresco y, finalmente, de menor costo.

TGAN está integrado verticalmente; esto incluye el diseño de dispositivos, el crecimiento de materiales de GaN, la fabricación de dispositivos, el embalaje, el diseño de circuitos y el soporte de aplicaciones.

TGAN ha evolucionado sus productos a lo largo de los años, con Gen-1 y Gen-2 antes de 2016, Gen-3 en 2018, Gen-4 en 2020 y el actual Gen-5 SuperGaNTM.

Los productos FET de TGAN actualmente admiten hasta 900 voltios, y se demostró un dispositivo de 1200 voltios. Los productos actuales admiten aplicaciones de 30 vatios a 30 kW y están disponibles en paquetes PQFN para menor potencia y paquetes equivalentes a montaje en superficie y TO.

Afirman una serie de hitos de la industria, incluido el primero:

TGAN disfruta de una gran cartera de propiedad intelectual con acceso a más de 1000 patentes en todo el mundo que cubren materiales, dispositivos, fabricación, circuitos, aplicaciones y embalajes (consulte la tabla a continuación). El valor de las patentes propias y con licencia exclusiva se ha estimado en más de 200 millones de dólares.

Tarifa anual de $200 mil + regalías

A través de su empresa conjunta GaNovation (ver arriba), TGAN posee y opera una instalación de ingeniería y fabricación de obleas, AFSW, en Aizu Wakamatsu, Japón.

Esta instalación de fabricación de 6 pulgadas totalmente depreciada ha estado ejecutando procesos de GaN desde 2012, con producción comercial desde 2015. Posteriormente, todas las obleas de producción, para uso interno o venta, se obtuvieron de AFSW.

AFSW tiene una capacidad de 14.000 obleas al mes. La capacidad podría aumentarse con una inversión de capital adicional.

El procesamiento, el embalaje y las pruebas posteriores a la fabricación se subcontratan y se realizan en varios sitios de Asia. Varios sitios producen paquetes PQFN, un sitio produce paquetes TO247, TO220 y D2Pak.

En junio de 2022, TGAN negoció un acuerdo de fabricación y suministro con GlobalWafers Co., Ltd. en Taiwán para que GWC fabrique productos de GaN (consulte el contrato con algunas ediciones aquí).

TGAN identifica dos segmentos comerciales: productos de energía GaN y obleas epi de GaN.

Los mercados objetivo iniciales de TGAN para los productos de energía de GaN se han centrado en áreas que requieren mayor voltaje y potencia, donde las ventajas intrínsecas del GaN sobre el silicio producen ganancias de eficiencia significativas, por ejemplo, los vehículos eléctricos.

Quizás reflejando la orientación tecnológica de TGAN, organizan sus mercados por niveles de poder.

diseños-ins > 55

en producción > 20

diseños >35

en producción > 15

TGAN estima que el mercado de semiconductores de potencia de GaN ascenderá a 4.500 millones de dólares en 2023, y crecerá a 8.600 millones de dólares en 2026, y el mercado total direccionable para GaN será de 1.800 millones de dólares en 2023, y crecerá a 6.000 millones de dólares en 2026. Tenga en cuenta que casi la mitad del TAM de 2026 es de los vehículos eléctricos, el mercado de mayor energía en el que se ha centrado TGAN. En cualquier caso, hay mucho margen de crecimiento.

Mercado de semiconductores de potencia (Transphorm)

Este artículo de octubre de 2021 en Power Electronics analiza el GaN en la electrónica de potencia en general y en los vehículos eléctricos en particular (figura siguiente), y este artículo en Charged proporciona detalles sobre las implicaciones de pasar de 400 V a 800 V para los paquetes de baterías de vehículos eléctricos.

GaN en el mercado de la automoción (electrónica de potencia)

En el mercado de potencia media, TGAN cita un ejemplo de su éxito con Corsair, un proveedor líder de equipos de juegos de alto rendimiento, que presentó con éxito su serie AX1600i de fuentes de alimentación basadas en GaN de 1600 vatios. Anandtech revisó el producto en 2018 y concluyó:

Las piezas de nitruro de galio (GaN) son más pequeñas, más ligeras y significativamente más eficientes que sus homólogas clásicas basadas en silicio. Su uso permitió a Flextronics (y, en última instancia, a Corsair) diseñar una plataforma que combina un mejor rendimiento general y una mayor producción en un chasis más pequeño. El resultado final es una fuente de alimentación que no es más grande que la mayoría de los diseños de 800 W y, sin embargo, es capaz de entregar el doble de esa potencia sin pestañear. Las piezas de GaN son mucho más caras que sus homólogas basadas en silicio, pero el coste del producto final se vio parcialmente compensado por la reducción del tamaño y los requisitos de refrigeración, lo que permitió a Corsair mantener el precio del AX1600i en niveles relativamente razonables.

Un área importante de especialización y una segunda línea de negocio es la epiwafer de GaN (GaN sobre silicio y otros sustratos) para el mercado de RF/microondas/ondas milimétricas y "ciertos clientes estratégicos" en el mercado de la energía. El objetivo aquí es ser un proveedor con sede en EE. UU. de productos avanzados de epiwafer de GaN para el Departamento de Defensa de EE. UU. y aplicaciones comerciales.

En junio de 2019, la Oficina de Investigación Naval ejerció una opción de 15,9 millones de dólares sobre un contrato base de 2,6 millones de dólares, y se espera que el trabajo esté terminado en junio de 2022. El Microwave Journal informa que "a través del programa ONR, Transphorm establecerá capacidad epi en múltiples plataformas , incluidos sustratos de SiC, Si y zafiro de 4 a 6 pulgadas; en última instancia, 8 pulgadas. Para aplicaciones de RF y mmWave, Transphorm será un proveedor exclusivo de epiwafer de materiales GaN".

El 12 de octubre de 2021, TGAN ganó un contrato de 1,4 millones de dólares de la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada de Defensa para fabricar GaN en obleas de zafiro, con la fabricación de transistores subcontratada a UC Santa Barbara. EE Power informa que el objetivo es evaluar el rendimiento y el costo de la construcción de componentes de RF para uso militar y comercial.

El CTO y cofundador de Transphorm, Umesh Mishra, dijo:

El contrato es una oportunidad para que la empresa aproveche su posición como proveedor premium de epiwafer de RF, su segundo negocio vertical.

El objetivo ahora es tomar esa base y permitir que nuestros clientes de RF epi obtengan una potencia de RF más eficiente por el dólar.

TGAN suministra epiobleas de GaN en diversos sustratos, incluidos carburo de silicio, zafiro y silicio, con un diámetro de entre 4 y 6 pulgadas, para los mercados de dispositivos de RF, microondas y ondas milimétricas.

Señalan que sirven como una fundición exclusiva de epiwafer para esos mercados, ya que no fabrican productos de dispositivos de RF. Se han realizado ventas de Epiwafer a clientes del Departamento de Defensa y a Nexperia.

TGAN ha estimado que el componente epiwafer representa alrededor del 15-20% del mercado militar y de telecomunicaciones de GaN RF de 800 millones de dólares, es decir, potencialmente entre 120 y 160 millones de dólares, lo que podría verse como un máximo con una participación de mercado del 100%. Hay otros competidores en este mercado y no he encontrado ningún dato sobre su participación de mercado actual o proyectada.

TGAN ha dependido de unos pocos clientes para la mayor parte de sus ingresos.

Tres clientes (Nexperia BV, el gobierno de EE. UU. y otro cliente extranjero) representaron juntos el 78,1 % de los ingresos para el año que finalizó el 31 de marzo de 2022. Cada uno de estos tres clientes representó más del diez por ciento de los ingresos.

TGAN ha operado con pérdidas netas cada año desde su inicio. La instalación de fabricación de obleas de AFSW ha operado con pérdidas mientras duró la participación de TGAN y se espera que continúe haciéndolo. TGAN actualmente no paga ni espera pagar dividendos.

Los aspectos financieros más destacados de la publicación y convocatoria de resultados del 24 de mayo de 2022, y la presentación de diapositivas (tenga en cuenta que el año fiscal completo ahora finaliza el 31 de marzo de 2022); no GAAP:

y tiene:

y esperar o apuntar a:

Cuando TGAN salió a bolsa el 12 de febrero de 2020, alrededor de 28.200.000 acciones de TGAN eran emitidas a varios accionistas de la empresa precursora. Los accionistas de Peninsula Acquisition recibieron 1.650.000 acciones. TGAN identificó una serie de colocaciones privadas posteriores, vendiendo 23,1 millones de acciones y obteniendo 99,7 millones de dólares, algunas de las cuales pueden identificarse.

Inmediatamente después de la fusión con Peninsula Acquisition Corp, Transphorm recaudó 21,5 millones de dólares en financiación de capital privado, liderado por inversores existentes, incluida una filial de Kohlberg Kravis Roberts & Co LP (KKR), un nuevo inversor estratégico, Marelli, y nuevos inversores institucionales, como se informó. aquí 04 de marzo de 2020 por Semiconductor Today.

El poder de TGAN del 24 de noviembre de 2021 señala que al 19 de noviembre de 2021, había 51.393.770 acciones ordinarias en circulación, y los principales accionistas (> 5%) eran propietarios beneficiarios del 84,1%, y eran:

Propiedad de acciones de Transphorm (Transphorm)

Consulte el proxy para las notas a pie de página. Además, los funcionarios y directores como grupo poseían alrededor de 1,6 millones de acciones, o el 3%.

El 13 de junio de 2022, TGAN presentó un registro de estantería que cubre la posible reventa de alrededor de 3,9 millones de acciones por parte de los titulares actuales, como se detalla a continuación.

Registro de estantería de Transphorm (Transphorm)

TGAN ha identificado competidores en el mercado de la electrónica de potencia, ordenados según la tecnología utilizada en sus productos. Incluyen:

TGAN desmiente que los productos de Si heredados puedan ofrecer actualmente una ventaja de costo 2 veces mayor para algunos componentes. En alto voltaje (1200 voltios o más), el SiC ofrece actualmente algunas ventajas de rendimiento. La diferenciación con otros competidores de GaN se basa en la calidad, la confiabilidad, la facilidad de uso y el precio.

No se han identificado competidores específicos para el negocio de obleas de episodios de GaN, pero el objetivo aquí es ser un proveedor con sede en EE. UU., tanto para los mercados de RF militares como comerciales.

Podemos hacer una estimación del reverso del sobre para una posible valoración. Asumir:

¿Qué opinan los profesionales? Han vendido muchas acciones a inversores sofisticados en el rango de 4 a 5 dólares, y cada tramo refleja su evaluación de valor durante los últimos años. Según Stock Analysis, el precio objetivo medio a 12 meses de 10 analistas es de 9,18 dólares.

Merecen mencionarse varios riesgos potenciales para la tesis de inversión.

TGAN probablemente tenga suficiente efectivo; alrededor de $ 45 millones en efectivo al 3 de junio, una tasa de quema actual de $ 4 millones por trimestre y un objetivo de flujo de caja positivo en 2024. Sin embargo, es posible que se vean obligados a responder a problemas u oportunidades sin recaudar efectivo adicional.

Nexperia, el mayor cliente de TGAN, también puede ser o convertirse en un competidor directo. Entre otros 15.000 productos semiconductores, desde al menos 2020, Nexperia vende FET de GaN de alta potencia. En noviembre de 2021, Nexperia demostró un módulo de potencia GaN de 35 kW para vehículos eléctricos, desarrollado conjuntamente con Shanghai Automotive Electric Drive Co., LTD.

TGAN enfrenta riesgos geopolíticos, similares a otras empresas que tienen la mayor parte de sus negocios en China o empresas controladas por China.

A medida que crece el mercado de electrónica de potencia para vehículos eléctricos, es probable que atraiga una intensa competencia, que puede erosionar los márgenes y hacer más difícil capturar y mantener cuota de mercado.

Transphorm parece tener excelentes capacidades técnicas, una sólida posición en materia de patentes, una historia de 15 años y ha atraído y retenido con éxito a importantes inversores y socios. Han enviado productos reales en volumen.

Al igual que sus competidores, ven una gran oportunidad en la aplicación de la tecnología GaN en el ámbito de la electrónica de potencia.

Han dado prioridad a los productos GaN de mayor potencia y parecen disfrutar de una ventaja a la hora de llevar esos productos al mercado. En el mercado de cargadores de gran volumen y baja potencia, parecen estar poniéndose al día.

Es posible que su negocio de obleas no resulte financieramente significativo a largo plazo y, de hecho, puede ser una distracción.

Mi evaluación holística es que a medida que los productos de GaN capturen una mayor participación de mercado en la electrónica de potencia, se convertirán en un candidato de adquisición cada vez más atractivo para una de las empresas más grandes -Infineon, Nexperia, Texas Instruments (TXN)- que buscan participación de mercado o tecnología.

Para los inversores con un horizonte temporal de más de 5 años, creo que hay muchas posibilidades de que TGAN a los precios actuales proporcione rendimientos mejores que los del mercado.

Personalmente, ahora tengo una pequeña posición en TGAN y tengo una orden límite más grande a un precio inferior al precio actual. Veo esto como una inversión especulativa de más de 10 años, con un rendimiento potencial de 6 a 10 veces mayor en el tiempo.

Este artículo fue escrito por

Divulgación del analista: Tengo/tenemos una posición larga beneficiosa en las acciones de TGAN, ya sea a través de propiedad de acciones, opciones u otros derivados. Yo mismo escribí este artículo y expresa mis propias opiniones. No recibo ninguna compensación por ello (aparte de Buscando Alfa). No tengo ninguna relación comercial con ninguna empresa cuyas acciones se mencionan en este artículo. Este no es un consejo para comprar o vender esta acción. No soy contador ni asesor de inversiones. Este artículo tiene como objetivo brindar información a las partes interesadas y de ninguna manera es una recomendación para comprar o vender los valores mencionados. Como no tengo conocimiento de las circunstancias, objetivos y/o concentración o diversificación de la cartera de cada inversor, se espera que los lectores hagan su propia diligencia debida antes de invertir.

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